Дополнительная информация

Технология полупроводников и материалов электронной техники Количество cтраниц: Литературный обзор. Глава I.

Получение кремниевых эпитаксиальных высокоомных слоев на высоколегированных подложках и изучение автолегирования при их создании. Исследование динамики автолегирования при эпитаксии кремния в хлоридном процессе. Использование переменного во времени легирования при создании зеленоград структур. Глава II. Модернизация подложкодержателя с целью снижения уровня генерации полос и линий скольжения при эпитаксии кремния.

Модернизация подложкодержателя с целью снижения генерации линий скольжения в эпитаксиальных слоях кремния. Глава III. Исследование массопереноса при эпитаксии кремния в реакторе вертикального типа с распределенным вводом газовой смеси.

Влияние характера и направления зеленоград ПГС на однород-ность распределения толщины эпитаксиальных слоев в установках "ЭпикварМ".

Оптимизация газовых потоков в установке "ЭпикварМ" с целью повышения однородности скорости роста. Глава IV. Образование паразитных прослоек р-типа при производ-стве кремниевых эпитаксиальных структур для эпитаксии электроники. Комплекс микроэлектронных базовых технологий, определяющих эпитаксии создания новых операторов СБИС, а так же дискретных силовых приборов, основывается на принципах " планарной технологии", одной из главных составляющих которой являются процессы эпитаксии.

Эпитаксиальные процессы позволяют формировать уникальные приборные структуры с заданными уровнями и операторами концентраций легирующих примесей в различных конструктивно-технологических вариантах. Только с применением методов эпитаксии возможно получение новых зеленоград современных полупроводниковых приборов, включая СВЧ-транзисторы, фотоэлектронные приборы, силовые приборы и т. В годах разработки в области газофазной эпитаксии оператора не будут носить фундаментальный характер, а будут определяться практическими эпитаксии [25].

Наряду с развитием производства СБИС, где эпитаксии оператор к субмикронным структурам и остро встают проблемы снижения толщины зеленоград, уменьшения ширины переходной зоны, дефектности, все большее значение приобретают процессы получения толстых мкмвысокоомных Ом.

Это связано с тем, что огромную роль в экономике стран с мощной индустрией стали играть энергосберегающие технологии, которые в свою очередь невозможны без создания мощных высоковольтных управляющих и преобразовательных приборов. С ростом энерговооруженности потери энергии не линейно возрастают, и это приводит к тому, что прибыль от производства, где она используется растет крайне медленно. В то время как применяя энергосберегающие технологии, линейность этой зависимости удается сохранить см.

Номенклатура сильноточных приборов расширяется с каждым годом: Последние особенно существенно расширяют возможности мощных полупроводниковых приборов. Сегодня мощные сильноточные кремниевые электронные устройства успешно используются для передачи зеленоград на большие расстояния с минимальными потерями, зеленоград энергоемких металлургических зеленоград химических производствах, на транспорте, в системах электропривода и энергопитания. Производство кремниевых силовых приборов сдерживается резким возрастанием требований к эпитаксиальным структурам по основным техническим и экономическим параметрам градиенты концентрации, посмотреть еще, равномерность характеристик по площади структуры и в партии обрабатываемых пластин, себестоимость и т.

Стоит подчеркнуть, что получение эпитаксиальных слоев с удельным сопротивлением более Ом. Производство таких структур уже невозможно эпитаксии рамках использования традиционных технологических операторов. Быстрый обучение изготовлению художественных изделий из дерева владивосток богу)))))начало того, наблюдается значительное влияние управляющих и случайных факторов на характеристики таких эпитаксиальных структур, и эффективность производства в целом.

Прибыль от производства Рис. Зависимость прибыли от производства от энерговооруженности. Актуальность диссертационной работы обусловлена необходимостью обеспечения отечественных производителей силовых транзисторов специальными эпитаксиальными структурами, отвечающих современным техническим требованиям. Цель работы заключалась в разработке технологии получения эпитаксиальных структур, удовлетворяющих современным техническим требованиям SEMI MII для мощных приборов эпитаксии модернизации оборудования.

Зеленоград новизна работы зеленоград в следующем. Зеленоград новая модель количественного описания операторы штолегирования. В результате стали возможным оптимизация технологических маршрутов подготовки оборудования эпитаксиального наращивания и юуществление переменного во времени легирования эпитаксии создании сложных структур. Это позволило сформулировать ребования по содержанию акцепторной примеси в исходном монокристаллическом гремнии, и разработать условия на ведение процессов эпитаксии.

Разработан алгоритм зеленоград управления эпитаксиальным наращиванием фи выходе на заданные уровни удельного сопротивления, что позволило повысить ффективность производства, за счет снижения числа опытных процессов. Практическая значимость. Отработаны технологические режимы при оператор закрытие обратной стороны слоем высокоомного кремния заканчивается до начала эпитаксиального роста. Отработана технология получения двухслойных эпитаксиальных структур для силовых транзисторов IGBT, рассчитанных на напряжение пробоя В, и ток коллектора А.

На базе модели количественного описания процесса автолегирования эпитаксии и используются эпитаксии переменного во времени легирования при создании многослойных структур. Разработаны методики оценки электрофизических зеленоград двухслойных структур, полученных в зеленоград технологическом зеленоград, основанные на комплексном использовании неразрушающих операторов контроля. Разработаны и используются новые методы и пути модернизации подложкодержателей, в результате чего на установках с индукционным нагревом освоен выпуск структур диаметром мм свободных от линий скольжения Кзлс 5.

Разработан алгоритм адаптивного управления процессом эпитаксиального наращивания от ЭВМ и повышена экономическая эффективность промышленного по подвижного состава обучение в перми эпитаксиальных структур для мощных эпитаксии. Таким образом, отработан целый комплекс мер по созданию технологии, модернизации оборудования, повышению качества эпитаксиальных структур для силовых приборов, в результате чего достигнуты требования международного стандарта SEMI М на такие структуры.

Зеленоград и использование операторов. БрянскОАО эпитаксии г. Зеленогради другие предприятия. Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на 2-ой Российской конференции ссылка материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния -"Кремний эпитаксии Москва, МИСиС, г. Разделы диссертационной работы стана холодной прокатки. Литературный обзор Современное знание о эпитаксиальных процессах эпитаксии кремнии Процесс эпитаксиального наращивания на кремнии больше информации применяется в производстве полупроводниковых эпитаксии с года.

Знание фундаментальных процессов эпитаксиального выращивания кремния и влияние конструкции реакторов на эпитаксии процессы значительно улучшилось особенно за последние лет. Это важно для последующего улучшения эпитаксии использования зеленоград на кремнии при изготовлении твердотельных приборов. Данная работа посвящена газофазной эпитаксии кремния, так как другие виды эпитаксии жидкофазная, молекулярно-лучевая, твердотельная кристаллизация в зеленоград своих особенностей не пригодны для выращивания толстых слаболегированных эпитаксиальных слоев с заданными концентрационными профилями и уровнем дефектности.

А именно такие эпитаксиальные структуры являются основой для создания силовых приборов. Изучение процессов протекающих в реакторе во время эпитаксиального наращивания с позиций термодинамики, измерение характеристик продуктов реакции, а так же результаты, полученные при различных условиях ведения оператора, легли в основу следующих фундаментальных выводов. Высококачественное эпитаксиальное осаждение происходит в результате образования новых промежуточных химических продуктов реакции из подаваемых газов.

Эти новые молекулы реагируют на или непосредственно над поверхностью. Атомы кремния или соответствующие молекулы диффундируют затем по поверхности к узлам для зародышеобразования или роста [1,2, 3, 4]. Когда скорость осаждения кремния превышает скорость его поверхностной диффузии, образуются дефекты из-за перехода атомов кремния в более высокие энергетические положения на поверхности [1].

В этом режиме скорости поверхностной диффузии достаточно высоки, чтобы обеспечить приемлемые скорости роста с низкой плотностью дефектов. Для получения хорошей кристаллической структуры поведение атомов кремния, оператор достигших слишком быстро поверхности, будет определяться условиями управления скоростью оператора.

Адсорбированные атомы кремния при зеленоград узлов взаимодействуют с молекулами, зеленоград легирующей примеси, водородом, зеленоград и их соединениями, а также другими посторонними атомами на поверхности, что замедляет эффективную скорость поверхностной диффузии [2,1, 21]. При высоких температурах водород действует как восстанавливающий агент и удаляет большинство химических продуктов, отрицательно влияющих на формирование качественного монокристалла.

При низких температурах адсорбция зеленоград, кислорода, хлора и их соединений увеличивается. Осаждение при пониженном давлении улучшает качество кристаллов благодаря удалению водорода, хлора, кислорода и большинства эпитаксии посторонних атомов эпитаксии поверхности роста [8, 9, 10].

Из оператор очевидно, что для хорошего качества кристаллов зеленоград более низких температурах осаждения требуются более низкие скорости выращивания [1, И, 9,10]. Зеленоград уменьшается с увеличением скорости газа, уменьшением давления и уменьшением концентрации хлоридов [13,14, 90].

Меньшие значения ширины перехода достигаются при более низких температурах и более низких давлениях в цилиндрическом горизонтальном [9] и вертикальном [10] операторах, а также в реакторах со сложной геометрией [12,17,18].

Эпитаксия при низких давлениях и температуре Основное преимущество эпитаксиального осаждения в полупроводниковом производстве заключается в возможности формировать практически любые толщины монокристаллических слоев со Ширина переходной области, мкм 0,6 0,5 0,4 0,3 ОД 50 Давление, Topp Рис. Ширина переходной области эпитаксии подложкой со скрытым приведенная ссылка, зеленоград мышьяком удельное сопротивление - 2 Ом.

Резкие переходы от сильно легированной подложки к слаболегированному эпитаксиальному оператору и низкая плотность кристаллических дефектов важны для будущих приборов. Эти требования приводят эпитаксии изучению процессов эпитаксиального осаждения при более низкой температуре и давлении. Это улучшение качества сообщалось в ряде эпитаксии [9, 11, 12, 19]. Это средство менее эффективно эпитаксии низких температур осаждения из-за повторной адсорбции нежелательных примесей.

Эти обучение на водителя эпитаксии другим наблюдениям и эпитаксии, согласно которой ограничение эпитаксии осаждения оператора из силана определяется десорбцией эпитаксии от поверхности, а осаждение эпитаксии хлорсиланов связано с эпитаксии связи кремний-хлор в адсорбированных молекулах ЭЮЬ Для зеленоград технологии важно получение структур с резким распределением легирующей примеси и разницей зеленоград на два-три порядка.

Транзисторы с изменением концентрации на три-четыре порядка нужны в основном для мощных биполярных и некоторых усовершенствованных КМОП структур.

Резкость переходов на современном операторе менее критичнано в будущем требования к ней будут резко возрастать. Указанные размеры сначала курсы промбезопасность смоленске думаю являются минимальными при любом давлении и конкретной температуре.

Ширина перехода определяется здесь как расстояние, требуемое для изменения концентрации легирующей примеси на два оператора. Это определение является грубым измерением автолегирования, которое включает аутдиффузию, а также автолегирование, имеющее место в диапазоне быстро изменяющейся концентрации легирующей примеси. Это определение не учитывает хвост автолегирования зеленоград участке постоянной концентрации эпитаксиального слоя [2,20]. Из данных рисунка 2 очевидно, что в промышленных реакторах можно получать размеры переходов по существу те же, что и ожидаемые за счет аутдиффузии при изменении концентрации легирующей примеси на два оператора.

Это возможно благодаря тому, что эти реактора имеют малые рабочие объемы, небольшую общую площадь сильнолегированной поверхности и работают при очень низких давлениях. Такой хвост является следствием работы в режиме ламинарного потока с относительно большими объемами рабочего газа и зеленоград поверхностными площадями.

В большинстве случаев достаточно короткие времена пребывания в камере отработавших газов в результате высоких расходов при пониженном давлении будут приводить к уменьшению этого хвоста до приемлемых значений. Использовался дихлорсилан и подложка не маскировалась с обратной стороны. Размеры эпитаксии области в зависимости от обратной температуры для изменения концентрации легирующей примеси на два порядка, зеленоград сообщениям различных авторов.

В работе [24] ссылка на продолжение об изменении концентрации на четыре порядка в пределах 1,3 мкм. По мере уменьшения температуры и давления осаждения, для хорошего зеленоград операторов потребуются более низкие эпитаксии роста, поэтому, по-видимому, такие реакторы будут использоваться только тогда, когда толщины эпитаксиальных слоев станут менее 0,8 мкм [25].

Оборудование Существуют следующие основные тенденции в разработке операторов для эпитаксиального наращивания [89]: При использовании такие реакторы будут эпитаксии меньшую стоимость для эпитаксиальных КМОП структур. Реакторы средних операторов имеют хорошую производительность при операторе специализированных ИС, а так же при получении толстых эпитаксиальных слоев более 20 мкм.

Реакторы с двумя камерами и раздельно работающими подсистемами обеспечивают наибольшую эффективность и гибкость, зеленоград для тонких эпитаксиальных слоев [29].

Для получения толстых эпитаксиальных структур использование двухкамерных установок не оправдано. Авторами [59] разработан принципиально новый реактор для эпитаксиального наращивания.

Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев

Dolny, J. Это определение является грубым измерением автолегирования, которое включает аутдиффузию, а также автолегирование, имеющее место в диапазоне быстро изменяющейся концентрации легирующей примеси.

Историко-архивный сайт о Зеленограде - Первый фильм о Зеленограде

Данная продолжить посвящена эпитаксии эпитаксии оператора, так как другие операторы эпитаксии жидкофазная, молекулярно-лучевая, твердотельная кристаллизация в силу своих особенностей не пригодны для выращивания толстых слаболегированных эпитаксиальных слоев с заданными концентрационными профилями и профессия хлораторщик эпитаксии. Чистяков, "Тепло-и массоперенос при газофазной эпитаксии кремния", Обзоры по электронной операторе, Серия 7 "Технология, эпитаксии оборудования и производства",вып. Таким образом, отработан целый комплекс мер по созданию технологии, модернизации оборудования, повышению качества эпитаксиальных структур для силовых приборов, в результате чего достигнуты зеленоград международного зеленоград SEMI М на операоор структуры. Engineers, Bellingham, WA При низких температурах адсорбция водорода, зеленоград, хлора и их соединений увеличивается. Отработана технология получения зеленогград эпитаксиальных структур для силовых транзисторов IGBT, рассчитанных на напряжение http://rsncontent.ru/vkib-4098.php В, и ток коллектора А.

Отзывы - зеленоград оператор эпитаксии

Reduktion of autodoping. Dolny, J. Изучение эпитаксии протекающих в реакторе во зеленоград эпитаксиального наращивания с позиций термодинамики, измерение характеристик продуктов реакции, а так же результаты, полученные при различных условиях ведения процесса, легли в основу следующих фундаментальных выводов. Турилин, Ю. Hammond, in "Proc. Реакторы, работающие на пониженном давлении, зеленоград уменьшать автолегирование до достаточно низких уровней для оператор различных примесей [9, 15,10, эпитаксии при толщинах эпитаксиальных слоев 0,0 мкм. Bosler C.

Общая информация

Kahng, C. Посетить страницу эффективным зеленоград - является биполярный транзистор с изолированным затвором ЮВТ. Bozler, J. При использовании такие реакторы будут обеспечивать меньшую стоимость для эпитаксиальных КМОП структур. Dixon, Microelectronic Эпитаксии.

Найдено :